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规格书 |
2SD1012 |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | NPN |
集电极电流(Ic)(最大) | 700mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 80mV @ 10mA, 100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 160 @ 50mA, 2V |
功率 - 最大 | 250mW |
频率转换 | 250MHz |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | 3-SIP |
供应商器件封装 | 3-SPA |
包装材料 | Bulk |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 700mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
频率 - 转换 | 250MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 80mV @ 10mA, 100mA |
标准包装 | 500 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 15V |
供应商设备封装 | 3-SPA |
封装 | Bulk |
功率 - 最大 | 250mW |
封装/外壳 | 3-SIP |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 160 @ 50mA, 2V |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
最大功率耗散 | 250 mW |
直流集电极/增益hfe最小值 | 160 mA |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 15 V |
安装风格 | Through Hole |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.7 A |
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